2025年2月7日 13:00
次世代のEVインフラ向けに設計され、省電力性に優れた車載充電およびインバータ用のコンパクトな単一コンポーネントソリューション
持続可能で接続性の高い、より安全な世界の実現のための工業技術を生み出すリテルヒューズ・インク(本社:米国イリノイ州シカゴ市、NASDAQ:LFUS)の日本法人である Littelfuse ジャパン合同会社(本社:東京都港区)は、自動車向け炭化ケイ素(SiC)MOSFETゲートドライバを保護する目的で特別に設計された、業界初となる非対称の過渡電圧サプレッサ(TVS)ダイオード「TPSMB非対称TVSダイオードシリーズ」を2月上旬に発売します。革新的な本製品は、次世代電気自動車(EV)システムにおける信頼性の高い過電圧保護への需要増加に対応し、従来ゲートドライバ保護に使用されてきた複数のツェナーダイオードやTVSコンポーネントに代わる、コンパクトな単一コンポーネントのソリューションです。
製品紹介動画:https://players.brightcove.net/1799386164001/default_default/index.html?videoId=6364981863112
「TPSMB非対称TVSダイオードシリーズ」は、従来のシリコンベースのMOSFETやIGBTに比べ高速スイッチングによる過電圧事象が発生しやすいSiC MOSFETゲートドライバに対して優れた保護機能を提供します。本シリーズのユニークな非対称設計は、SiC MOSFETの正負で異なるゲートドライバ電圧定格に対応しています。また、複数コンポーネントの必要性を排除することでエンジニアの設計作業を大幅に簡素化します。このコンパクトで信頼性の高い設計により、重要な自動車用電力システムが過電圧から確実に保護され、電気自動車やその他の高性能アプリケーションのさらなる進化を支えます。
車載充電器(OBC)、EVトラクションインバータ、I/Oインターフェース、VCCバス
上記用途では、SiC MOSFETゲートドライバの性能、耐久性、効率を最大化するため、高性能な過電圧保護(OVP)が必要不可欠です。
特性 |
対応範囲 |
Pin out 1 |
K A |
Pin out 2 |
A K |
スタンドオフ電圧(VR K-A) (Vso) |
15~28 |
ピークパルス電流(IPP K-A) 10×1000µs (A) |
13.3~24.6 |
最小ブレイクダウン電圧(VBR K-A @IT) (V) |
16.7~31.1 |
最大ブレイクダウン電圧(VBR K-A @IT) (V) |
18.5~34.4 |
クランピング電圧(VC K-A) (V) |
24.4~42.5 |
最大逆リーク電流(Ir K-A and A-K @Vso) (μA) |
1 |
スタンドオフ電圧(VR A-K) (Vso) |
5~18 |
ピークパルス電流(IPP A-K) 10×1000µs (A) |
20.6~60 |
最小ブレイクダウン電圧(VBR A-K @IT) (V) |
6.8~20 |
最大ブレイクダウン電圧(VBR A-K @IT) (V) |
7.4~22.1 |
クランピング電圧(VC A-K) (V) |
11.5~29.2 |
リテルヒューズ正規代理店にお問い合わせください。リテルヒューズの正規代理店は littelfuse.com でご確認いただけます。
情報詳細については、「TPSMB非対称TVSダイオードシリーズ」の製品ページ(https://www.littelfuse.com/products/overvoltage-protection/tvs-diodes/automotive-tvs-diodes/tpsmb-asymmetric)をご覧ください。
リテルヒューズは、持続可能でつながりのある、より安全な世界を実現する、電子部品製造会社です。全世界で 20 か国以上に 1 万 6,000 の従業員を擁し、革新的で信頼のおけるソリューションを設計、提供すべくお客様とも連携しています。10 万社以上のエンドカスタマーに製品を提供し、我々の製品は産業機械向け、輸送機械向け、電子業界向けなどの様々な市場において、毎日、あらゆる場所で利用されています。詳細についてはリテルヒューズのウェブサイトlittelfuse.com をご覧ください。
Littelfuseジャパン合同会社
E-mail:Contact_Japan@littelfuse.com